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光迅科技定增投资中高端芯片

上海证券报2013年12月09日04:12分类:新华社报刊

⊙记者 王宏斌  ○编辑 邱江

随着“宽带中国”战略的推进及4G时代的来临,光迅科技正谋求在中高端光电子芯片上取得突破。公司今日发布非公开发行股票预案,拟以27.31元/股的底价,向不超过10名特定对象发行2307万股,募资不超过6.30亿元,投入宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目。

根据定增预案,公司本次募投项目将针对数个市场急需的目标产品进行产业化,产能包括年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件以及年产0.96万只40G接收器件。整个项目建设期为2年,全部达产后预计新增年销售收入7.63亿元、利润1.39亿元。

“我们目前已完成了在10G至40G中高端光电子芯片上的技术积累,当务之急是尽快大规模产业化。”据公司介绍,通过本次募投项目的实施,公司产品线将从2.5G以下的普通光电子器件逐渐扩大升级至10G、40G及以上速率的中高端产品。

公司近年来市场整合力度颇为引人注目。去年,公司通过收购WTD完成了对有源光器件的产业整合;今年上半年,公司又收购了丹麦IPX公司,加强了对上游芯片的整合力度。公司方面表示,随着本次中高端芯片及其器件项目的实施,公司将形成更完整、从有源到无源的“芯片-器件-模块-子系统”垂直一体化产业链,协同效应将更为显著。

“我们的目标是发展'中国芯’,生产具有自主知识产权的中高端芯片,并以此为核心生产中高端光电子器件,进而打破国外垄断。”据统计,在2012年全球光电子芯片与器件领域,中国厂商只占到25%的份额,且集中在中低端芯片及器件上。作为国内行业龙头,光迅科技中高端芯片项目的崛起,有望改变这一市场格局。

[责任编辑:周发]

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